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日本ガイシ、超高輝度LED光源用GaNウェハーを開発 （発表資料）bit.ly/JDPzwK pic.twitter.com/XuGiBH8b
2012年04月25日 超高輝度LED光源用窒化ガリウムウエハーを開発｜ニュース｜日本ガイシ株式会社
日本ガイシ株式会社（社長：加藤太郎、本社：名古屋市）はこのほど、LED（発光ダイオード）光源の発光効率をこれまでの2倍に高める高品質な窒化ガリウム（GaN）ウエハーの開発に成功しました。
今回開発したGaNウエハーは、当社独自の単結晶育成技術である液相成長法を用いることで、ウエハー全面にわたる低欠陥密度と無色透明の両立を実現しています。
社外の研究機関の協力を得て、当社GaNウエハー上にLED素子を作製し、発光性能試験を実施した結果、世界トップレベルの約90％の内部量子効率※（注入電流200mA時）を達成しました。市販されているLED光源の2倍の発光効率（200ルーメン/W）を実現でき、消費電力の50％削減や発熱の抑制による長寿命化、照明器具の小型化が可能になります。
当社は今年度、「ウエハープロジェクト」を設立し、ウエハー関連製品の早期事業化を目指しています。今後、液相成長法では世界初となる直径4インチのGaNウエハーのサンプル出荷を今年中に開始するとともに、耐電圧が高く、高周波動作が可能であるなどの特性を生かして、ハイブリッド車や電気自動車用パワーデバイス、無線通信基地局用パワーアンプ向けウエハーの市場を狙い、さらなる欠陥密度の低減と大口径化（直径6インチ）の実現に向けて開発を加速していきます。
発光試験中のLED素子
基板サイズ：1cm角、素子サイズ：0.3mm角
注入電流：約200mA、中心波長：450nm
GaNウエハー（左：2インチ、右：4インチ）
※ 内部量子効率：LEDに流す電子の個数（電流）に対して、LEDの発光層内で発生する光子の個数を割合で示したもの。この値は、発光層の結晶欠陥密度によって決まり、100％が理想的な値となる。市販LED素子で注入電流200mA時の内部量子効率は30〜40％。