必見！智慧得（485）「相田卓三／超高密度メモリー素子への挑戦」

東大と東工大、強誘電性カラムナー液晶材料の開発に成功。簡便な塗布プロセスによる超高密度メモリ作製に期待 （発表資料）bit.ly/J5JKlb pic.twitter.com/0p9mgzeB

東京大学大学院工学系研究科の相田卓三教授、宮島大吾博士課程学生は、東京工業大学大学院理工学研究科の竹添秀男教授、荒岡史人助教らとの共同研究で、世界で初めて、強誘電性カラムナー液晶材料の開発に成功いたしました。この物質を利用することで、従来とはまったく異なる方法で簡便に超 高密度メモリー素子を作製できることが期待されます。また、強誘電性材料の開発に今までにないアプローチを与えるほか、液晶材料の新たな応用可能性を提示するものです。これまでに多くの研究者が試みてきたにもかかわらず、誰も実現できなかった強誘電性カラムナー液晶を実現したという意味で、基礎科学的にも極めて重要な成果です。本研究成果は、4月13日付の米国科学雑誌 「Science」電子版に掲載されました。 

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